隨著(zhù)經(jīng)濟的發(fā)展，工業(yè)排放的物量增加，嚴重的污染環(huán)境和危害人們的身體健康，為此須進(jìn)行處理。目前處理VOC的常用方法有兩類(lèi)：一類(lèi)是破壞性方法，如焚燒和催化燃燒法等，即將VOC轉化為CO2和H2O；另一類(lèi)是非破壞方法，如吸附、冷凝和膜分離等。這些工藝雖能在程度上處理VOC，但設備和操作費用高，且易造成二次污染，往往需進(jìn)一步處理。

　　90年代，上開(kāi)始嘗試用光催化法去除VOC光催化氧化法在正常環(huán)境條件下常溫、常壓)，能將揮發(fā)性廢氣分解為CO2， H2O和無(wú)機物質(zhì)，與前述處理方法相比，反應過(guò)程，且無(wú)二次污染問(wèn)題，因而具有非常大的潛在應用價(jià)值，已成為VOC治理技術(shù)中一個(gè)活躍的研究方向.根據相關(guān)報道，目前在循環(huán)流動(dòng)間歇反應器中已進(jìn)行了一氧化氮、乙醇、乙醛、丙醛等的光催化氧化研究；用連續流動(dòng)固定床反應器光催化氧化一氧化碳、二氧化氮、三氯乙烯、乙烯、三氯丙烯、異丙醇、苯、甲硫醚W一丁醇、甲基丁醇等；使用流化床中光催化處理三氯乙烯等。

　　近年來(lái)有關(guān)光催化氧化法處理VOC的反應機理和反應動(dòng)力學(xué)、催化劑制備與改性、反應器設計及光催化反應的各種影響因素等問(wèn)題。對光催化氧化技術(shù)的應用和發(fā)展提出了一些見(jiàn)解。

　　半導體粒子具有能帶結構，由填滿(mǎn)電子的低能價(jià)帶和空的導帶構成，價(jià)帶和導帶之間存在禁帶.當用能量等于或大于禁帶寬度(Eg)的光照射半導體時(shí)，價(jià)帶上的電子被激發(fā)躍遷到導帶，在價(jià)帶上產(chǎn)生空穴，并在電場(chǎng)作用下分離并遷移到粒子表面.光生空穴因具有的得電子能力，而具有的氧化能力。

　　半導體內產(chǎn)生的電子一空穴對存在著(zhù)分離破俘獲與復合的競爭，電子與空穴復合的幾率越小，光催化活性越高一般認為，半導體粒子尺寸越小，電子與空穴遷移到表面的時(shí)間越短，復合的幾率越??；同時(shí)粒子尺寸越小，比表面越大，越有利于反應物的吸附，從而增大反應幾率日。故目前光催化技術(shù)研究主要集中在粒子尺寸的納米級1100nm)半導體。

　　但也有學(xué)者認為，由于催化劑制備的熱處理過(guò)程中伴隨著(zhù)結晶、晶格缺陷、表面輕基等變化，在光催化反應中又涉及到光吸收以及載流子俘獲復合等因素，因此，催化劑的粒徑和比表面積與活性之間并不存在嚴格的相關(guān)關(guān)系。只有結晶度、相組成、晶格缺陷密度以及表面輕基相同或相近時(shí)，才能認為小粒徑和大比表面積的催化劑具有較高的活性.此外，有研究表明氣相光催化反應并不主要通過(guò)輕基自由基反應進(jìn)行。即便催化劑表面存在大量輕基，氣相光催化反應主要是物與光致空穴直接。

　　氯苯酚的光降解并不需要通過(guò)輕基自由基完成。雖然氣相光催化反應并不主要通過(guò)輕基自由基進(jìn)行，但催化劑表面存在的水仍有和空穴作用生成輕基自由基的可能，同時(shí)還有利于光的吸附，在大多數情況下水將加快光催化反應的進(jìn)行。由此可見(jiàn)，氣相光催化反應的機理與VOC的種類(lèi)有關(guān)，且不同的研究者對同一現象也提出了不同解釋?zhuān)磻獧C理尚無(wú)統論，仍有待深入研究。